賽英公司法人代表、董事長張玉興教授耗時2年編著的650頁宏篇巨著——射頻與微波晶體管功率放大器工程，將于2010年上半年由電子工業(yè)出版社出版，敬請同行關注!
前言
信號與信息傳輸系統(tǒng)，不管這傳輸媒介是空氣、傳輸線、光纖還是波導，在傳輸的過程中信號都會有損耗。因此在信號的發(fā)送端頭需要把被發(fā)送的信號放大到一定的電平，然后再通過媒介傳送。在無線信號傳輸系統(tǒng)中，信號通過天線向空間輻射，傳輸距離可能從幾米，幾公里，幾十公里到幾百上千公里，這就是說發(fā)送端需要幾瓦，幾十瓦，乃至幾百上千瓦的發(fā)射功率，因此，無論是通信、雷達、定位、導航、遙測遙控、空間技術、電視廣播等信號傳輸系統(tǒng)中都需要發(fā)射機。而發(fā)射機中的核心就是射頻和微波功率放大器。現(xiàn)代移動通信中的基站發(fā)射機功率為幾十瓦，而手持機的功率為幾百毫瓦，雷達發(fā)射機的脈沖功率高達幾個千瓦到幾十，上百千瓦。中短波、超短波，VHF/UHF的廣播、電視、通信發(fā)射機的功率從瓦級到幾十上百瓦，高至千瓦級。上述系統(tǒng)的頻率從幾百KHZ，一直覆蓋到微波波段。功率放大器覆蓋這么寬的頻帶，功率范圍從幾百毫瓦到幾十千瓦，對功率放大器的指標要求，頻帶要求，不同的應用場合，需求都是不一樣的。各個頻段的功率放大器，特別是射頻段和微波波段，可能的電路結構形式是完全不一樣的。
現(xiàn)代移動通信技術在飛速發(fā)展，模擬通信體制逐漸退出歷史舞臺，數字通信體制在更新?lián)Q代。所有這些變革都對RF、微波功率放大器的指標要求愈來愈苛刻。功率放大器如何滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)的要求，仍是擺在我們面前的艱巨的任務。新一代移動通信中的發(fā)射機，效率和線性度這兩個指標擺到了最重要的位置。為了滿足這種苛刻的要求，研發(fā)出許多新型發(fā)射機的方案，一些正在成熟，而有些還仍在研發(fā)之中。
除了性能指標之外，價格因素也是必須考慮的問題。移動通信領域中的市場競爭尤其激烈，價格競爭是一個最主要的領域。功率放大器的價格是影響系統(tǒng)價格的最主要的因素之一。因此，高指標、低價格是現(xiàn)代功率放大器設計者追求的目標。
RF和微波功率放大器的設計技術是一們古老的技術，但也是仍在不斷更新的技術。功率放大器分成A類、B類和C類的方法早在上世紀30年代就開始了。至今，這個概念還在使用。由于移動通信新一代數字調制系統(tǒng)的使用，要求功率放大器高的線性度。為了滿足系統(tǒng)要求，老的設計方法，如效率與功率的拆衷、功率和線性度之間的拆衷等等，仍在使用“古老”的分析方法。今天，這種方法對功率放大器的設計仍起到了指導作用。當然，現(xiàn)代功率放大器的計算機輔助設計已成為必不可少的工具，掌握他是勢在必行。
現(xiàn)代通信技術的日新月異，促進了功率放大器技術的發(fā)展，尤其是功率放大器的線性化技術、功率放大器效率提高技術、兼顧功率放大器線性度和效率技術等等更是紛紛出籠。例如，Doherty技術、前饋技術、預失真技術、異相技術等等。這些新技術很多已應用在現(xiàn)代移動通信系統(tǒng)中，還有一些正在發(fā)展之中。
射頻與微波功率放大器的設計與實踐，在我國仍是一個較薄弱環(huán)節(jié)。雖然，目前已出現(xiàn)幾家專門研發(fā)和生產功率放大器的專門公司，例如 等等。筆者認為編著一種既有原理，設計方法，又有工程實踐的書是完全必要的。功率放大器，現(xiàn)在，至少今后幾十年，仍是一門不能集成的電路技術，尤其是大功率放大器。其理由是眾所周知的。射頻和微波電路中的分布參數、寄身參數及互相耦合的影響是不能忽略的。功率放大器電路板布板技術的好壞，在某些應用中，是電路能否成功的關鍵。一個設計優(yōu)良的功率放大器，布板不好引起失敗的例子很多。因此，本書在編寫的過程中，盡可能的介紹在方面的經驗與例子。功率放大器除了設計和布板之外，還存在很多工程問題，如元器件的選擇、饋電、熱設計、功率放大器保護等等，這涉及很寬的電路知識。本書在這方面也作一些介紹，當然，限于篇幅，不可能對每一個部分作詳細介紹。
功率放大器的核心是晶體管，如何正確理解晶體管、正確選擇晶體管、理解各類晶體管的特性往往是電路設計者的薄弱環(huán)節(jié)。本著作幾乎用了一章的篇幅來介紹在方面的內容。特別是如何理解晶體管數據表上給出的直流參數、功能參數、極限參數，特別是極限參數的測量及限制等等。
射頻和微波功率放大器使用的晶體管有：雙極晶體管(BJT)、砷化鎵金屬半導體場效應管(GaAsMESFET)、結型場效應管(FET)、橫向擴散場效應管(LDMOS),現(xiàn)在，又出現(xiàn)了新穎的功率晶體管——氮化鎵晶體管(GaN)、INGaP、GaAs HBT等等。這些晶體管的一些選用，本書也作了介紹。
本書的一個最大的特點是：用了很大的篇幅介紹數字通信的信號調制的性質和特點，用于放大這樣的信號的功率放大器的要求是什么。使功率放大器設計工程師更為明確目標和目的。著作中給出了很多的工程設計的實例，這些例子都來源于國外的文獻資料。筆者也有這方面很多的工程設計實例和實際測量數據，但限于一些因素，不便于發(fā)表。
射頻和微波固體功率放大器仍在不斷的發(fā)展之中，很多指標以前認為作不到的正在被刷新。在書中要及時反映這些變化與發(fā)展是不可能的。因此，本著作的理論核心側重于基本概念、基本原理、基本設計方法。在這基礎上，再歸納出工程設計近似法。
功率放大器工作在大信號狀態(tài)，嚴格的數學分析是不可能的。為了給出定量分析的結果，常常要作很多假設。假設符合實際工程情況嗎?假設得到的近似滿足工程設計的精度嗎?這些都要一一驗證。本書給出了這個過程。
本書編寫的工作量很大，在編寫的過程中得到了很大人的幫助。其中主要的是我眾多的研究生和成都賽英科技有限公司的技術同行，作者在此表示我衷心的感謝。
張玉興于2009.6.8.
目錄
第一章 緒論
§1-1 現(xiàn)代數字通信體制的特點
§1-1-1 功率放大器在無線通信系統(tǒng)中的地位
§1-1-2 功率放大器波形質量的測量
§1-1-3 功率效率的測量
§1-1-4 功放線性化技術和效率提高技術
§1-2 射頻與微波固體功率放大器的特點
§1-3 射頻和微波功率放大器的分析方法綜述
§1-3-1 線性近似化理論
§1-3-2 弱非線性器件的分析方法
§1-3-3 強非線性效應下的近似分析法
§1-3-4 計算機輔助設計(CAD)和非線性器件模型
§1-3-5 負載牽引設計法
§1-4 射頻和微波固體功率放大器中的新穎技術
§1-4-1 功率放大器的線性化技術
§1-4-2 效率及線性化增強技術
第二章 射頻和微波晶體管功率放大器基礎
§2-1 射頻和微波功率晶體管的直流參數和功能參數
§2-1-1 直流參數
§2-1-2 極限參數和熱特性
§2-1-3 功率晶體管的功能特性
§2-1-4 低功率晶體管的功能特性
§2-1-5 線性模塊的功能特性
§2-1-6 功率模塊的功能性特
§2-2 射頻和微波晶體管應用基礎
§2-2-1 低功率晶體管的選擇
§2-2-2 高功率晶體管的選擇
§2-2-3 晶體管選擇時的帶寬考慮
§2-2-4 MOSFET與雙極晶體管的選擇
§2-2-5 選擇功率晶體管其他考慮因素
§2-3 FET和雙極晶體管的參數和電路比較
§2-3-1 晶體管類型
§2-3-2 參數的比較
§2-3-3 電路組態(tài)
§2-4 影響功率放大器設計的其他因素
§2-4-1 工作類別
§2-4-2 調制類型
§2-4-3 線性工作偏置的考慮
§2-4-4 脈沖模式工作的晶體管
§2-5 LDMOS功率晶體管及他們的應用
§2-5-1 LDMOSFET與垂直MOSFET的比較
§2-5-2 LDMOS器件設計
§2-5-3 LDMOS的特性
§2-5-4 FET的一些近似設計考慮
§2-5-5 LDMOS晶體管在現(xiàn)代移動蜂窩技術中的應用
§2-5-6 射頻功率放大器的特性
§2-5-7 線性度考慮
§2-5-8 W-CDMA功率放大器設計實際例子
§2-5-9 CDMA放大器設計和優(yōu)化的電路技術
§2-5-10 LDMOS晶體管的模型
§2-6 射頻和微波功率放大器的附加電路
§2-6-1 固體功率放大器的VSWR保護
§2-6-2 功率放大器的負載失配量的“在線”測試電路
§2-6-3 輸出濾波
§2-7 寬帶阻抗匹配的基本概念
§2-7-1 寬帶電路介紹
§2-7-2 傳統(tǒng)的RF變壓器阻抗變換器
§2-7-3 絞線RF變壓器阻抗變換器
§2-7-4 傳輸線RF變壓器阻抗變換器
§2-7-5 等延遲傳輸線RF變壓器阻抗變換器
§2-8 射頻和微波功率放大器的總體設計思想
§2-8-1 單端、平衡(并聯(lián))或者推挽功率放大器
§2-8-2 單端RF功率放大器設計思想
§2-8-3 雙極晶體管并聯(lián)功率放大器
§2-8-4 MOSFET晶體管并聯(lián)功率放大器
§2-8-5 推挽功率放大器
§2-8-6 功率晶體管的阻抗和放大器的匹配網絡
§2-8-7 功率放大器系統(tǒng)的級間匹配電路
§2-8-8 單級設計的實際例子
§2-9 計算機輔助設計程序
§2-9-1 概況
§2-9-2 Motorola阻抗匹配程序的內部
第三章 射頻和微波功率放大器的結構技術及可靠性技術
§3-1 RF功率晶體管的封裝類型
§3-2 封裝對發(fā)射極/源極阻抗的影響
§3-3 射頻和微波功率放大器印刷電路板的布局
§3-4 射頻和微波元器件安排
§3-4-1 高功率晶體管的安裝
§3-4-2 低功率晶體管的安裝
§3-4-3 射頻功率模塊的安裝
§3-5 射頻和微波功率放大器的可靠性考慮
§3-5-1 芯片溫度和他對可靠性的影響
§3-5-2 其他可靠性考慮
第四章 線性功率放大器的設計和功率放大器的線性化技術
§4-1 非線性電路基本概念與定義
§4-1-1 線性與非線性
§4-1-2 頻率的產生
§4-1-3 非線性現(xiàn)象
§4-1-4 放大器中的非線性現(xiàn)象
§4-2 線性晶體管功率放大器的設計
§4-2-1 A類放大器和線性放大
§4-2-2 增益匹配和功率匹配
§4-2-3 負載牽引測量
§4-2-4 商用負載牽引測量設備
§4-2-5 負載線理論
§4-2-6 封裝效應和負載牽引理論
§4-2-7 用CAD程序作負載牽引等功率
§4-2-8 A類功率放大器設計的實際例子
§4-2-9 總結
§4-3 功率放大器的線性化技術
§4-3-1 負反饋線性化技術
§4-3-2 預失真技術
§4-3-3 前饋技術
第五章 高效率射頻和微波固體功率放大器設計
§5-1 功率放大器減小導通角的波形分析
§5-2 功率放大器輸出端口
§5-3 減小導通角工作模式分析
§5-3-1 A類工作條件
§5-3-2 AB類工作條件
§5-3-3 B類工作狀態(tài)
§5-3-4 C類工作狀態(tài)
§5-3-5 晶體管的開啟(膝)電壓的影響
§5-3-6 功率轉移特性和線性度
§5-3-7 對輸入驅動的要求
§5-3-8 本節(jié)小結
§5-4 降低導通角高效率功率放大器的匹配網絡的設計
§5-4-1 低通匹配網絡
§5-4-2 傳輸線網絡
§5-4-3 諧波短路
§5-4-4普通的的MESFET晶體管
§5-4-5 850MHz 2W B類功率放大器設計實例
§5-4-6 “π”型功率匹配網絡
§5-4-7 功率放大器中的“π”型匹配網絡設計和分析
§5-4-8 使用負載牽引法的網絡設計和分析
§5-5 射頻和微波功率放大器中的過驅動和限制效應
§5-5-1 過驅動A類功率放大器
§5-5-2 過驅動減小導通角模式的功率放大器
§5-5-3 正弦波的矩形化：F類和D類工作狀態(tài)
§5-5-4 實際的F類功率放大器
§5-5-5 具有諧波短路的過驅動功率放大器
§5-6 射頻應用的開關模式放大器
§5-6-1 簡單的(射頻應用)開關模式放大器
§5-6-2 調諧開關模功率放大器
§5-6-3 D類開關模功率放大器
§5-6-4 E類開關模功率放大器
第六章 射頻和微波功率放大器的電路技術
§6-1 推挽放大器
§6-2 平衡功率放大器
§6-3 射頻和微波功率放大器中的頻率補償和負反饋
§6-3-1 頻率補償
§6-3-2 負反饋
第七章 功率合成與分配技術
§7-1 概述
§7-1-1 合成概念的演變
§7-1-2 合成的基本原理
§7-1-3 合成的網絡特性
§7-2 功率合成器/分配器的類型
§7-2-1 諧振和非諧振腔體合成器/功分器
§7-2-2 非諧振的N路合成器
§7-2-3 空間功率合成器
§7-3 功率合成器/分配器的分析方法
§7-3-1 傳輸線合成器的分析
§7-3-2 平面二維功率合成結構的分析
§7-3-3 波導和腔體合成器的分析
§7-3-4 空間功率合成結構的分析
§7-4 常規(guī)功率分配與合成技術
§7-4-1 Wilkinson 功率分配器
§7-4-2 耦合線定向耦合器
§7-4-3 微波混合橋
§7-4-4 同軸電纜變換器和合成器
§7-4-5 平行耦合線(雙絞線)及同軸線阻抗變換器和平衡-不平衡變換器
§7-5 新型功率分配與合成技術
§7-5-1 基于DGS結構的不等分功率合成技術
§7-5-2 基于多層結構的小型化超寬帶合成技術
§7-5-3 任意雙頻段功分與合成技術
§7-6 空間功率合成技術
§7-6-1 概述
§7-6-2 擴展同軸波導內空間功率合成技術
§7-6-3 徑向波導空間功率合成技術
§7-6-4 基片集成波導空間功率合成技術
§7-7 大功率合成技術簡介
§7-7-1 傳輸線的功率容量
§7-7-2 大功率合成器的設計實例
§7-8 小結
第八章 射頻和微波功率放大器中的記憶效應和失真
§8-1 介紹
§8-1-1 本章的目的
§8-1-2 線性化和記憶效應
§8-1-3 本章的主要內容
§8-2 電路理論和方法
§8-2-1 電系統(tǒng)的分類
§8-2-2 非線性系統(tǒng)的頻譜計算
§8-2-3 無記憶非線性系統(tǒng)中的頻譜再生
§8-2-4 非線性效應與信號帶寬的關系
§8-2-5 非線性系統(tǒng)分析
§8-2-6 小結
§8-2-7 需記住的要點
§8-3 射頻功率放大器中的記憶效應
§8-3-1 效率
§8-3-2 線性化
§8-3-3 電記憶效應
§8-3-4 熱記憶效應
§8-3-5 幅度域效應
§8-3-6 總結
§8-3-7 記憶要點
§8-4 Volterra模型
§8-4-1 非線性建模
§8-4-2 非線性I-V和Q-V特性
§8-4-3 共射BJT/HBT模型
§8-4-4 在BJT共射放大器中的IM3
§8-4-5 MESFET建模及分析
§8-4-6 小結
§8-4-7 記憶要點
§8-5 Volterra模型的特性描述
§8-5-1 擬合多項式模型
§8-5-2 自熱效應
§8-5-3 直流 I-V 特性
§8-5-4 交流特性描述步驟
§8-5-5 脈沖S-參數測量
§8-5-6 封裝效應的去除
§8-5-7 小信號參數的計算
§8-5-8 擬合法交流測量
§8-5-9 1-W BJT的非線性模型
§8-5-10 1-W MESFET 的非線性模型
§8-5-11 30-W LDMOS的非線性模型
§8-5-12 小結
§8-5-13 記憶要點
§8-6 仿真及測量記憶效應
§8-6-1 仿真記憶效應
§8-6-2 記憶效應的測量
§8-6-3 記憶效應與線性化
§8-6-4 小結
§8-6-5 記憶要點
§8-7 記憶效應的抵消
§8-7-1 包絡濾波法
§8-7-2 阻抗優(yōu)化
§8-7-3 包絡注入
§8-7-4 小結
§8-7-5 記憶要點
附錄7A: Volterra 分析基礎
附錄7B: 截斷誤差
附錄7C:平方非線性級聯(lián)時的IM3公式
附錄 7D: 測量系統(tǒng)的有關問題
第九章 異相射頻與微波功率放大器
§9-1異相微波功率放大器的介紹
§9-1-1 從歷史角度來看異相放大器
§9-1-2 異相放大理論的介紹
§9-2 反相功率放大系統(tǒng)的線性性能
§9-2-1介紹
§9-2-2 數字調制技術
§9-2-3 數字數據的基帶濾波
§9-2-4 異相放大器信號分量的分離
§9-2-5 路徑不均衡和他對線性度的影響
§9-2-6 正交調制器誤差對線性度的影響
§9-2-7 SCS量化誤差對于異相系統(tǒng)的影響
§9-2-8 重構濾波器和DSP抽樣率對線性度影響
§9-2-9總結
§9-3 異相放大器中降低路徑失配的技術
§9-3-1 簡介
§9-3-2 基于訓練矢量的改進方法
§9-3-3 數據傳輸中路徑失配誤差的校正方案
§9-3-4 寬帶應用中的失配校正方法
§9-3-5 VCO驅動合成
§9-4 異相功率放大器中的功率合成及效率增強技術
§9-4-1 介紹
§9-4-2 異相放大器中的功率合成技術
§9-4-3 異相系統(tǒng)的放大器選擇
§9-4-4 利用A、B、C類放大器設計異相放大器
§9-4-5 Chireix功率合成技術
§9-4-6 開關模式放大器(D類和E類)的功率合成器的設計
§9-4-7 在異相功率放大器中使用有損耗的功率合成器
§9-4-8 輸出功率的概率分布及其對效率帶來的影響
§9-4-9 異相放大器中的功率回收
附錄 9A
9A.1 混合型功率合成器輸出的資用功率
9A.2 任意二極管模型的回收效率和電壓駐波比
第十章 通信系統(tǒng)中的功率放大器
§10-1 Kahn包絡分離和恢復技術
§10-2 包絡跟蹤
§10-3 異相功率放大器
§10-4 Doherty功率放大器方案
§10-5 開關模和雙途徑功率放大器
§10-6 前饋線性化技術
§10-7 預失真線性化(技術)
§10-8 手持機應用的單片CMOS和HBT功率放大器